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CMOS成像器件的像敏單元結構介紹
 
錄入時間:2015-01-01 15:29:28瀏覽次數:1
 

像敏單元結構指每個成像單元的電路結構,是CMOS圖像傳感器的核心組件。像敏單元結構的兩種類型,即被動像敏單元結構和主動像敏單元結構。前者只包含光敏二極管和地址選通開關兩部分。其中像敏單元圖像信號的讀出時序首先是復位脈沖復位操作,光敏二極管的輸出電壓被置0,接著光敏二極管開始光信號的積分。當積分工作結束時,選址脈沖啟動選址開關,光敏二極管中的信號便傳輸到列總線上,然后經過公共放大器放大后輸出。

  被動像敏單元結構的缺點是固定圖案噪 聲大、圖像信號的信噪比較低。

  主動像敏單元結構是當前得到實際應用的結構。它與被動像敏單元結構的最主要區別是:在敏個像敏單元都經過放大后,才通過場效應晶體管模擬開關傳輸,所以固定圖案噪聲大為降低,圖像信號的信噪比顯著提高。

  主動式像敏單元結構是場效應晶體管VT1構成光敏二極管的銷聲匿跡,它的柵極接在復位信號線上,當復位脈沖到來時,VT1導通,光敏二極管被瞬時復位;當復位脈沖消失后,VT1截止,光敏二極管開始積分光信號。VT2為源極跟隨器,它將光敏二極管的高阻搞輸出信號進行電流放大。VT3用做選址模擬開關,當選通脈沖到來時,VT3導通,使被放大的光電信號輸送到列總線上。

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